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NTA4151PT1G

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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

系列: -

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 760mA(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 360 毫欧 @ 350mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 450mV @ 250µA

Vgs(最大值): ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 156pF @ 5V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 301mW(Tj)

工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

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