IXBT10N170
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 70.7700 CNY 63.6930 CNY 60.8622 CNY 56.6160 CNY 54.2570 CNY 53.3134 CNY 51.4262 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: BIMOSFET™
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1700V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20A
功率 - 最大值: 140W
开关能量: 6mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 30nC
25°C 时 Td(开/关)值: 35ns/500ns
测试条件: 1360V,10A,56 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 360ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
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