IXBH42N170A
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 217.2450 CNY 195.5205 CNY 186.8307 CNY 173.7960 CNY 166.5545 CNY 163.6579 CNY 157.8647 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: BIMOSFET™
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1700V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 42A
功率 - 最大值: 357W
开关能量: 3.43mJ(开),430µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 188nC
25°C 时 Td(开/关)值: 19ns/200ns
测试条件: 850V,21A,1 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 330ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
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