IXBT42N170
起购量 | 价格(含13%增值税) |
---|---|
1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 234.0900 CNY 210.6810 CNY 201.3174 CNY 187.2720 CNY 179.4690 CNY 176.3478 CNY 170.1054 |
推荐商品
*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: BIMOSFET™
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1700V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80A
功率 - 最大值: 360W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 188nC
25°C 时 Td(开/关)值: -
测试条件: -
反向恢复时间 (trr): 1.32µs
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
打开微信扫一扫,扫码注册
重置成功
恭喜您,密码重置成功!
请您使用新的密码登录