*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： DTMOSIV

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V @ 1mA

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800pF @ 300V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 45W（Tc）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包