*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： -

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V @ 1mA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470pF @ 10V

功率 - 最大值： 330mW

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： VS-8 (2.9x1.5)