FF45MR12W1M1B11BOMA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
---|---|
1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 612.2400 CNY 551.0160 CNY 526.5264 CNY 489.7920 CNY 469.3840 CNY 461.2208 CNY 444.8944 |
推荐商品
*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: CoolSiC™
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 25A,15V(标准)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.55V @ 10mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1840pF @ 800V
功率 - 最大值: 20mW(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: AG-EASY1BM-2
打开微信扫一扫,扫码注册
重置成功
恭喜您,密码重置成功!
请您使用新的密码登录