SSM6L35FU(TE85L,F)
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 0.7452 CNY 0.6707 CNY 0.6409 CNY 0.5962 CNY 0.5713 CNY 0.5614 CNY 0.5415 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180mA,100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9.5pF @ 3V
功率 - 最大值: 200mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: US6
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