BSM600D12P3G001
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 6006.3150 CNY 5405.6835 CNY 5165.4309 CNY 4805.0520 CNY 4604.8415 CNY 4524.7573 CNY 4364.5889 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 182mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 31000pF @ 10V
功率 - 最大值: 2450W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: 模块
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