VMM650-01F
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 4371.4650 CNY 3934.3185 CNY 3759.4599 CNY 3497.1720 CNY 3351.4565 CNY 3293.1703 CNY 3176.5979 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HiPerFET™
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 680A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.2 毫欧 @ 500A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 30mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: -
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: Y3-Li
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