SSM6N815R,LF
| 起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 6.1200 CNY 5.5080 CNY 5.2632 CNY 4.8960 CNY 4.6920 CNY 4.6104 CNY 4.4472 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: U-MOSVIII-H
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 103 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 100µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.8W(Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-TSOP-F
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