*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： BIMOSFET™

IGBT 类型： -

配置： 全桥

电压 - 集射极击穿（最大值）： 3000V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 34A

功率 - 最大值： 150W

电流 - 集电极截止（最大值）： 3.2V @ 15V，20A

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 24-SMPD