*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： U-MOSVIII-H

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V @ 100µA

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF @ 15V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），21W（Tc）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerVDFN