DS1230Y-200IND+
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 231.5250 CNY 208.3725 CNY 199.1115 CNY 185.2200 CNY 177.5025 CNY 174.4155 CNY 168.2415 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
存储器类型: 非易失
存储器格式: NVSRAM
技术: NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量: 256Kb (32K x 8)
存储器接口: 并联
时钟频率: 并联
写周期时间 - 字,页: 200ns
访问时间: 200ns
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 通孔
封装/外壳: 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商器件封装: 28-EDIP
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